资料价格：198元

1 用单附加掩模注入操作制造双阈值电压N沟道和P沟道MOSFET的方法
2 双重扩散型MOSFET及其半导体装置
3 MOSFET器件系统和方法
4 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺
5 功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法
6 功率MOSFET及其形成和工作方法
7 包含MOSFET分子检测芯片和采用该芯片的分子检测装置以及使用该装置的分子检测方法
8 高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构及其制造方法
9 迁移率提高了的MOSFET器件及其制造方法
10 包含浮栅MOSFET的光探测器
11 具有用于避免反向电流的后栅极浮动型MOSFET的电动机驱动装置
12 在半桥组态中减少MOSFET体二极管传导的方法和装置
13 锗／硅复合纳米晶粒浮栅结构MOSFET存储器
14 MOSFET的制造方法
15 一种制作准双栅MOSFET晶体管的方法
16 射频发射电路中大功率MOSFET管的安全保护方法及其电路
17 沟槽型MOSFET及其制造方法
18 功率MOSFET及其制造方法、包括其的半导体器件
19 具有温度传感装置的MOSFET
20 压缩SiGe〈110〉生长的MOSFET器件
21 具有平行层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法
22 用于减小MOSFET器件中的浮体效应的方法和结构
23 具有垂直层状漏极结构的MOSFET及其漏极制造方法
24 具有高耐压MOSFET的半导体器件及其制造方法
25 制造沟槽MOSFET的方法
26 制造槽栅型MOSFET器件的方法
27 极度圆孔屏蔽的栅槽MOSFET器件及其生产工艺
28 用累积电荷吸收器改进MOSFET的线性的方法和设备
29 功率MOSFET的晶片级芯片规模封装
30 通过全半导体金属合金转变的金属栅极MOSFET
31 包括受应力的栅极金属硅化物层的高性能MOSFET及其制作方法
32 一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法
33 沟槽型MOSFET及其制造方法
34 功率MOSFET及其应用装置和制造方法
35 用于形成具有低寄生电阻的沟槽MOSFET器件的方法
36 具有多晶硅源极接触结构的沟槽MOSFET器件
37 使用镶嵌栅极工艺的应变硅沟道MOSFET
38 以MOSFET实现的极性保护装置
39 用于制造具有包括用快速扩散形成的掺杂柱体的电压维持区的高压功率MOSFET的方法
40 含有掺杂柱的高压功率MOSFET
41 具有电压维持区域并从相反掺杂的多晶硅区域扩散的高电压功率MOSFET
42 通过同步降压转换器的MOSFET测量温度和电流的技术
43 SOI上的动态阈值电压MOSFET
44 制造应变MOSFET的结构和方法
45 制造凸出源漏MOSFET的方法以及由此制造的器件
46 一种MOSFET半导体及其制造方法
47 用于MOSFET的铟-硼双盐注入
48 具有镍锗硅化物栅极的MOSFET及其形成方法
49 包括具有能带工程超晶格的MOSFET的半导体器件
50 功率MOSFET驱动器及其方法
51 纳米级MOSFET晶体管阵列及其制造方法
52 具有伸入较深的以沟槽为基础的源电极的以沟槽为基础的交叉栅电极的垂直MOSFET及其制造方法
53 具有增加的导通电阻的沟槽MOSFET器件
54 具有低导通电阻的高电压功率MOSFET
55 形成多晶硅的方法和在硅基材料中的MOSFET器件
56 一种P型MOSFET的结构及其制作方法
57 利用MOSFET的导通电阻的过热保护感应的系统和方法
58 槽沟MOSFET技术在直流-直流变换器中的应用
59 具有拉伸应变基片的MOSFET器件及其制备方法
60 沟槽型MOSFET及其制造方法
61 几何形状允许频繁体接触的MOSFET器件
62 产生用于MOSFET沟道迁移率调整的局部机械栅极应力的结构和方法
63 通过外延成长且高介电常数的应变层使MOSFET具有机械性应力的通道
64 利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
65 绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
66 并联MOSFET的失效预测
67 用于预偏置负载的续流MOSFET控制电路
68 使用各向同性蚀刻工艺的肖特基势垒MOSFET制造方法
69 基于MOSFET工艺的硅基单电子器件结构及其制备方法
70 将MOSFET用作反熔丝的方法
71 动态肖特基势垒MOSFET器件及其制造方法
72 在MOSFET结构中形成应变Si-沟道的方法
73 具有低栅极电阻和缩小源极接触空间的高密度沟槽MOSFET
74 DMOSFET和平面型MOSFET
75 使用选择沉积工艺制造MOSFET器件的方法
76 硅SOI基片上制造检测磁场/压力MOSFET的方法
77 高密度混合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件
78 高密度槽沟金属氧化物场效应管(MOSFET)的源极接触和金属复盖方案
79 平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法
80 超高密度沟槽MOSFET雪崩改进的结构
81 对于切换DC-DC的MOSFET通过驱动器的单引脚多路转换数字和模拟信息的电路
82 具有经减小的开关电阻和更低的制造成本的电流限制双向MOSFET开关
83 使用相互连接的三维层片将垂直封装的MOSFET和集成电路功率器件构建成集成模块
84 生成低电阻自对准多晶硅化物栅极和台面接触区MOSFET器件的结构和方法
85 高压MOSFET器件
86 用于高电压应用的MOSFET及其制作方法
87 一种功率MOSFET驱动电路
88 MOSFET器件及其制造方法
89 高性能应力增强MOSFET及制造方法
90 高性能应力增强MOSFET及制造方法
91 MOSFET功率封装
92 MOSFET器件及其相关操作方法
93 栅极根部缺陷与MOSFET器件性能相关性的仿真方法
94 MOSFET开关管发火模块
95 MOSFET和肖特基二极管结合的瘦小外形封装
96 用于动态阈值电压控制的多晶硅背栅SOI MOSFET
97 低阻T-栅极MOSFET器件及其制造方法
98 改进的垂直MOSFET DRAM单元间隔离的结构和方法
99 用自对准硅化物工艺形成的MOSFET及其制造方法
100 漏极开路电路的MOSFET及其半导体集成电路器件
101 具有较低栅极电荷结构的沟槽MOSFET
102 对称沟槽MOSFET器件及其制造方法
103 具有深植入结的功率MOSFET
104 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极接触与导路
105 具有二极管钳位的漏极扩展MOSFET
106 提高MOSFET抗单粒子辐照的方法及一种MOSFET器件
107 氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法
108 一种MOSFET晶体管的栅极及其制造方法
109 金属源极/漏极肖特基势垒悬空硅MOSFET器件及其方法
110 用于高迁移率平面和多栅极MOSFET的混合衬底技术
111 MOSFET以及MOSFET的制造方法
112 基于PLCcore-CF54模块的MOSFET输出板卡
113 制造具有不同高度接触线的高密度MOSFET电路的结构和方法
114 自对准沟槽MOSFET结构和制造方法
115 高单元密度沟槽MOSFET中的不同台面尺寸
116 用于功率MOSFET应用的低电阻栅极及其制造方法
117 提高肖特基击穿电压（BV）而不影响集成的MOSFET-肖特基器件布局
118 集成有肖特基二极管的平面MOSFET及其布局方法
119 为MOSFET开关降低插入损耗并提供掉电保护的方法
120 具有按比例缩小的栅叠层厚度的金属栅极MOSFET器件及其方法
121 改善静电导通均匀性的多叉指型MOSFET结构
122 多叉指型MOSFET结构
123 线性化的高阻值MOSFET有源电阻
124 防止晶片处理工艺期间沟槽MOSFET的栅氧化损坏的方法
125 BUCK调整器中P沟道MOSFET的驱动电路
126 具有阻止反向电流功能的高边功率MOSFET开关管组
127 应用于MOSFET电学仿真的BSIM3 HCI可靠性模型
128 沟槽栅MOSFET及其制造方法
129 在沟道区中具有高应力的MOSFET及其制造方法
130 一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法
131 用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法
132 用于MOSFET栅极电极接合衬垫的结构和方法
133 用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率的方法
134 具有SiGe/Si沟道结构的功率沟槽MOSFET
135 包括双应力源的N沟道MOSFET及其制造方法
136 一种沟槽平面栅MOSFET器件及其制造方法
137 用于MOSFET BGA的折叠框架载体
138 一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法
139 测量高密度沟槽MOSFET阵列的体区夹紧电阻的结构
140 具有低导通电阻的高电压功率MOSFET
141 基于双控制栅MOSFET结构的光电探测器
142 MOSFET BSIM3热载流子注入可靠性模型的建模方法
143 I-MOSFET制造方法
144 带门极电阻布局的功率MOSFET模块
145 使用选择沉积工艺制造MOSFET器件的方法
146 一种MOSFET频率特性偏差检测器及检测方法
147 提高肖特基击穿电压且不影响MOSFET-肖特基整合的器件结构及方法
148 耗尽模式MOSFET电路和应用
149 一种多阈值高压MOSFET器件
150 一种多阈值场MOSFET和多阈值场MOSFET组
151 平坦化的金属化高密度功率MOSFET
152 一种掩膜数量减少的沟槽MOSFET器件制造工艺
153 (110)取向P沟道具有高K栅极电介质的沟槽型MOSFET
154 用于补偿MOSFET集成电路中工艺诱生性能变化的方法
155 具有减少的寄生电容的高k/金属栅极MOSFET
156 超级结MOSFET的制作方法
157 用于电路快速仿真的MOSFET内部节点消去方法
158 一种低阻高压MOSFET器件及其制造方法
159 整体式低阻抗双栅电流感测MOSFET
160 基于FT3150的MOSFET输出板卡
161 双重扩散源MOSFET(LDMOS)晶体管中的重掺杂区及其制造方法
162 光敏复合介质栅MOSFET探测器的信号读出放大方法
163 MOSFET失配模型的建立及仿真方法
164 功率MOSFET器件雪崩能量测试仪
165 减小功耗的MOSFET栅极驱动器
166 具有同步续流MOSFET的增压和上下开关调节器
167 一种非对称型MOSFET的制造方法
168 使用沟槽栅低压和LDMOS高压MOSFET的单管芯输出功率级、结构和方法
169 光敏复合介质栅MOSFET探测器
170 亚阈值MOSFET带隙基准源
171 GaN基MOSFET及其制备方法
172 底部漏极LDMOS功率MOSFET的结构及制备方法
173 SOI横向MOSFET器件
174 一种改善MOSFET STI差排的方法
175 一种功率MOSFET封装体及其封装方法
176 沟槽式功率MOSFET及其制造方法
177 具有沟槽式接触孔的沟槽式MOSFET及其制备方法
178 接触孔中具有钨间隔层的功率MOSFET器件及其制造方法
179 极度圆孔屏蔽的栅槽MOSFET器件及其生产工艺
180 具有MOSFET熔丝元件的集成电路
181 电流源MOSFET驱动芯片
182 集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法
183 一种沟槽MOSFET的制造方法
184 一种沟槽MOSFET
185 具有浅沟槽结构的沟槽MOSFET及其制造方法
186 集成肖特基整流器的栅增强功率MOSFET器件
187 一种形成沟槽式MOSFET沟槽底部厚氧的方法
188 一种沟槽MOSFET器件及其制造方法
189 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件
190 一种功率MOSFET器件
191 一种MOSFET过压保护装置
192 MOSFET扩容驱动及过流保护装置
193 大功率MOSFET驱动模块
194 MOSFET逆变式弧焊机
195 带VRD功能MOSFET逆变式弧焊机
196 带防粘及提升引弧功能的MOSFET逆变式弧焊机
197 低频维弧MOSFET逆变等离子切割机
198 MOSFET逆变式氩弧焊机
199 大功率MOSFET逆变式等离子切割机
200 基于PLCcore-CF54模块的MOSFET输出板卡
201 一种带散热过孔的MOSFET焊盘设计的电路板
202 基于CAN总线通信的MOSFET扩容驱动模块
203 一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻
204 由功率MOSFET构成的双向导通的逆变器
205 大功率开关电源MOSFET音频功率放大器
206 带门极电阻布局的功率MOSFET模块
207 一种用于MOSFET封装的引线框架
208 一种采用自举供电的MOSFET管驱动电路
209 多路功率MOSFET驱动输出短路保护电路
210 同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路
211 正激变换器用同步MOSFET栅极电压钳位驱动电路
212 一种MOSFET的测试电路
213 功率MOSFET功率因数校正器
214 全功率MOSFET功率因数校正器
215 桥臂半控的功率MOSFET功率因数校正器
216 基于FT3150的MOSFET输出板卡
217 一种TO220封装MOSFET多管并联模块