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1 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2 氮化镓半导体激光器
3 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
4 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
5 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
6 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
7 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
8 氮化镓晶体的制造方法
9 氮化镓层的制备方法
10 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
11 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
12 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
13 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
14 以氮化镓为基底的半导体发光装置
15 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层
16 氮化镓的块状单结晶的制造方法
17 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
18 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
19 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
20 氮化镓序列的复合半导体发光器件
21 氮化镓晶体的制造方法
22 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
23 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
24 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
25 氮化镓结晶的制造方法
26 氮化镓晶体的制备方法
27 氮化镓单晶衬底及其制造方法
28 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
29 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
30 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
31 氮化镓外延层的制造方法
32 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
33 一种氮化镓单晶的热液生长方法
34 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
35 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
36 一种制备氮化镓基 LED的新方法
37 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
38 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
39 氮化镓化合物半导体制造方法
40 氮化镓陶瓷体的制备方法
41 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
42 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
43 用横向生长制备氮化镓层
44 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
45 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
46 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
47 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
48 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
49 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
50 氮化镓荧光体及其制造方法
51 氮化镓单晶膜的制造方法
52 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
53 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
54 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
55 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
56 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
57 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
58 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
59 金刚石上的氮化镓发光装置
60 氮化镓表面低损伤蚀刻
61 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
62 P型氮化镓电极的制备方法
63 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
64 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
65 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
66 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
67 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
68 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
69 氮化镓基化合物半导体发光器件
70 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
71 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
72 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
73 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
74 一种判断氮化镓基发光二级管非辐射复合中心浓度的方法
75 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
76 氮化镓基化合物半导体发光器件
77 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
78 氮化镓层的制备方法
79 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
80 一种氮化镓基外延膜的制备方法
81 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
82 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
83 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
84 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
85 生长氮化镓晶体的方法
86 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
87 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
88 氮化镓系异质结构光二极体
89 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
90 烧结的多晶氮化镓
91 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
92 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
93 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
94 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
95 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
96 氮化镓外延层的制造方法
97 准氮化铝和准氮化镓基生长衬底及在氮化铝陶瓷片上生长的方法
98 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
99 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
100 氮化镓基半导体器件及其制造方法
101 I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
102 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
103 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
104 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
105 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
106 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
107 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
108 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
109 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
110 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
111 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
112 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
113 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
114 氮化镓系发光组件及其制造方法
115 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
116 富镓氮化镓薄膜的制造方法
117 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
118 氮化镓类化合物半导体装置
119 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
120 紫外双波段氮化镓探测器
121 氮化镓紫外探测器
122 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
123 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
124 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
125 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
126 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
127 氮化镓半导体装置的封装
128 基于氮化镓的装置和制造方法
129 氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
130 氮化镓系发光器件
131 生长高阻氮化镓外延膜的方法
132 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
133 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
134 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
135 在硅衬底上生长碳化硅氮化镓材料的方法
136 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
137 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
138 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
139 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
140 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
141 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
142 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
143 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
144 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
145 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
146 PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
147 氮化镓系发光二极管结构
148 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
149 氮化镓系发光二极管的制作方法
150 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
151 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
152 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
153 氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
154 氮化镓发光二极管结构
155 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
156 氮化镓系发光二极管
157 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
158 氮化镓单晶基板及其制造方法
159 三甲基镓、其制造方法以及从该三甲基镓成长的氮化镓薄膜
160 氮化镓基高单色性光源阵列
161 利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法
162 一种采用新型助熔剂熔盐法生长氮化镓单晶的方法
163 氮化镓基红外-可见波长转换探测器
164 一种检测氮化镓基发光二极管质量优劣的方法
165 氮化镓基光子晶体激光二极管
166 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
167 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法
168 一种小体积高亮度氮化镓发光二极管芯片的制造方法
169 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
170 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
171 氮化镓基发光二极管指示笔
172 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
173 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
174 高亮度氮化镓类发光二极体结构
175 一种高纯度氮化镓纳米线的制备生成方法
176 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
177 通过掩模用横向过生长来制备氮化镓衬底以及由此制备的器件
178 改进的制备自支撑氮化镓衬底的激光剥离的方法
179 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底
180 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
181 制造在单晶氮化镓衬底上的Ⅲ族氮化物基谐振腔发光器件
182 用于制造基于氮化镓的单晶衬底的方法和装置
183 应用于基于氮化镓材料的包封退火方法
184 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
185 一种无机化合物氮化镓纳米线的制取方法
186 氮化镓系发光二极管
187 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
188 以多孔氮化镓作为衬底的氮化镓膜的生长方法
189 一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
190 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
191 一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法
192 一种因干法刻蚀受损伤的氮化镓基材料的回复方法
193 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
194 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
195 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
196 一种制造氮化镓发光二极管芯片的工艺方法
197 非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
198 导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法
199 垂直结构的非极化的氮化镓基器件及侧向外延生产方法
200 氮化镓基化合物半导体器件
201 氮化镓基蓝光发光二极管
202 氮化镓薄膜材料的制备方法
203 氮化镓类半导体元件及其制造方法
204 氮化镓单晶的生长方法
205 氮化镓半导体器件
206 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法
207 一种氮化镓基大管芯发光二极管及其制备方法
208 氮化镓基高亮度高功率蓝绿发光二极管芯片
209 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管
210 树叶脉络形大功率氮化镓基发光二极管芯片的P、N电极
211 氮化镓基圆盘式单色光源列阵
212 氮化镓半导体衬底及其制造方法
213 氮化镓系化合物半导体磊晶层结构及其制造方法
214 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
215 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
216 经表面粗化的高效氮化镓基发光二极管
217 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
218 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
219 一种制造重掺杂氮化镓场效应晶体管的方法
220 用于高质量同质外延的连位氮化镓衬底
221 氮化镓单晶的生长方法
222 含晶格参数改变元素的氮化镓器件衬底
223 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
224 基于氮化镓的化合物半导体多层结构及其制造方法
225 基于氮化镓的化合物半导体发光器件
226 一种改善氮化镓功率晶体管散热性能的方法
227 铝镓氮化物/氮化镓高电子迁移率晶体管及制造方法
228 氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶
229 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
230 氮化镓基半导体器件
231 一种采用自催化模式制备带尖氮化镓锥形棒的方法
232 一种用溶胶凝胶法制备氮化镓纳米晶体的方法
233 形成于碳化硅基板上的氮化镓膜的剥离方法及使用该方法制造的装置
234 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器
235 一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光薄膜的方法和装置
236 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
237 垂直氮化镓半导体器件和外延衬底
238 垂直基于氮化镓的发光二极管
239 反射性正电极和使用其的氮化镓基化合物半导体发光器件
240 氮化镓晶圆
241 自支撑氮化镓单晶衬底及其制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法
242 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件
243 一种制备氮化镓单晶衬底的方法
244 氮化镓基发光二极管及其制造方法
245 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的电极
246 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
247 氮化镓基共振腔增强型紫外光电探测器及制备方法
248 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法
249 氮化镓系半导体的成长方法
250 降低氮化镓单晶膜与异质基底间应力的方法
251 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
252 一种氮化镓发光二极管管芯及其制造方法
253 氮化镓晶体衬底及其制造方法
254 氮化镓衬底以及氮化镓衬底测试及制造方法
255 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
256 不对称的脊形氮化镓基半导体激光器及其制作方法
257 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
258 用于合成氮化镓粉末的改进的系统和方法
259 超高立式反应器的氮化镓金属有机物化学气相淀积法设备
260 一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法
261 氮化镓化合物半导体发光元件及其制造方法
262 生长氮化镓晶体的方法
263 氮化镓基半导体发光装置、光照明器、图像显示器、平面光源装置和液晶显示组件
264 利用氢化物气相外延(HVPE)生长平面非极性的{1-100}m面和半极性的{11-22}氮化镓
265 一种氮化镓表面腐蚀液及腐蚀方法
266 用于氮化镓肖特基生化传感器的接触电极及其制备方法
267 氮化镓半导体元件和发光二极管
268 垂直基于氮化镓的发光二极管
269 氮化镓系半导体发光元件、制作氮化镓系半导体发光元件的方法、氮化镓系发光二极管、外延晶片及制作氮化镓系......
270 一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线
271 垂直结构氮化镓基LED的制作方法
272 调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
273 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管
274 氮化镓基LED用复合金属基板
275 氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法
276 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
277 一种制备氮化铝和氮化镓纳米棒异质结的方法
278 自支撑氮化镓衬底的制作方法
279 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
280 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
281 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
282 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
283 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
284 一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法
285 一种氮化镓基功率型LED芯片制作方法
286 一种氮化镓基垂直结构LED外延结构及制造方法
287 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
288 氮化镓系发光二极管器件
289 去除多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒中氮化镁的方法
290 氮化镓单晶的制备方法
291 氮化镓衬底材料的制造方法
292 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
293 氮化镓衬底材料制造方法
294 一种氮化镓基发光二极管多量子阱的生长方法
295 一种有源区为P型的氮化镓系半导体发光管
296 一种垂直结构电极氮化镓发光芯片及其制造方法
297 两步氮化法制备多孔氮化铝微粒或多孔氮化镓微粒的方法
298 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法
299 改善氮化镓基场效应管后道工艺的方法
300 复合式基板、氮化镓基元件及氮化镓基元件的制造方法
301 氮化镓发光二极管及增加氮化镓发光二极管取光的方法
302 宽带氮化镓基微波大功率单片集成功率放大器
303 氮化镓基半导体器件及其制造方法
304 氮化镓基半导体器件及其制造方法
305 低位错氮化镓的生长方法
306 制作晶片产品的方法及制作氮化镓基半导体光元件的方法
307 氮化镓基半导体器件及其制造方法
308 一种制备高密度氮化镓量子点有源层结构的方法
309 氮化镓基发光二极管及其制作方法
310 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法
311 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法以及包括其的LED显示装置
312 一种半导体器件及其氮化镓外延层制作方法
313 去合金法制备多孔氮化铝或氮化镓薄片或薄带的方法
314 用于氮化镓增强型晶体管的低栅极-泄漏结构和方法
315 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法
316 纳米氮化镓发光二极管的制作方法
317 一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管
318 渐变电子阻挡层的紫外光氮化镓半导体发光二极管
319 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法
320 用于大规模氨热制造氮化镓晶棒的装置和方法
321 一种多孔氮化镓衬底的处理方法及氮化镓膜的生长方法
322 一种氮化镓自支撑衬底的制备方法
323 一种氮化镓系高压发光二极管及其制作方法
324 一种垂直结构氮化镓基发光元件的制作方法
325 氮化镓系化合物半导体发光二极管
326 常关型氮化镓基半导体器件
327 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
328 一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法
329 氮化镓基液体传感器及其制备方法
330 一种具有横向p-n结复合缓冲层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
331 一种氮化镓基高亮度发光二极管的制作方法
332 具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管
333 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
334 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
335 一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法
336 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
337 氮化镓基发光二极管外延生长方法
338 氮化镓发光二极管的快速热退火
339 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
340 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的制作方法
341 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构
342 一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
343 具有四方环状结构反射层氮化镓基发光二极管
344 氮化镓基发光二极管的制造方法
345 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法
346 氮化镓类化合物半导体发光元件和具有该发光元件的光源
347 蓝光LED氮化镓外延过程尾气回收
348 一种使用悬浮衬套管氨热法生长氮化镓体单晶的装置和方法
349 硅衬底上氮化镓生长方法
350 具有低温n型插入层的氮化镓系发光二极管及其制备方法
351 一种电子型氮化镓n-GaN薄膜及其制备方法
352 一种用于太阳电池窗口层的氮化镓薄膜及其制备方法
353 生长氮化镓结晶组合物的方法
354 一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
355 一种具有复合势垒的氮化镓基发光二极管
356 氮化镓类半导体发光元件、光源和凹凸构造形成方法
357 一种氮化镓基激光二极管
358 具有共掺杂薄膜的氮化镓基激光二极管
359 植入空气隙光子晶体的氮化镓基发光二极管的制备方法
360 一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法
361 基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法
362 具有物理气相沉积形成氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管的制造
363 一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
364 氮化镓烧结体或氮化镓成形物以及它们的制造方法
365 带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件
366 氮化镓肖特基二极管及其制造方法
367 新型结构的氮化镓肖特基二极管及其制造方法
368 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制备方法
369 基底基板、氮化镓晶体层叠基板及其制造方法
370 包括其中具有一个或多个氮化硅夹层的氮化镓的半导体晶片
371 用于氮化镓晶体管的离子植入及自行对准栅极结构
372 一种在缓冲层上生长氮化镓外延层的方法
373 氮化镓基板的制造方法
374 氮化镓基板及外延晶片
375 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
376 氮化镓系半导体的制造方法、III族氮化物半导体器件及其制造方法
377 一种常开型氮化镓场效应晶体管的制造方法
378 一种常闭型氮化镓场效应晶体管的制造方法
379 激光脉冲沉积技术制备氮化镓纳米线的方法
380 异质外延生长的氮化镓位错密度测定方法
381 氮化镓基半导体器件及其制造方法
382 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法
383 制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板
384 一种氮化镓基LED外延结构及其制备方法
385 用于测量氮化镓的质量的设备
386 制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板
387 一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法
388 可恢复性能的氮化镓元件
389 一种氮化镓发光二极管及其制备方法
390 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
391 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
392 氮化镓基LED的发光装置
393 功率型氮化镓基发光二极管芯片
394 一种用于氮化镓外延生长的新型蓝宝石衬底
395 使用多导电层作为P型氮化镓欧姆接触的透明电极结构
396 氮化镓系发光二极管的垂直电极结构
397 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管
398 一种氮化镓基大管芯发光二极管
399 具有高光萃取效率的氮化镓系发光二极管的结构
400 氮化镓系发光二极管结构
401 氮化镓系发光二极管的构造
402 氮化镓系发光二极管
403 氮化镓基发光二极管芯片
404 一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线
405 陶瓷衬底的氮化镓基芯片
406 复合式氮化镓基半导体生长衬底
407 一种氮化镓发光二极管结构
408 一种氮化镓发光二极管结构
409 基于超级结的氮化镓HEMT器件
410 MOCVD生长氮化镓晶片的尾气处理、回收和循环使用装置
411 一种氮化镓基声表面波器件
412 氮化镓系化合物半导体发光器件
413 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
414 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
415 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
416 亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
417 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
418 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
419 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
420 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
421 制备氮化镓单晶薄膜的方法
422 制造氮化镓半导体发光器件的方法
423 氮化镓系列化合物半导体元件
424 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
425 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
426 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
427 小尺寸氮化镓基蓝、绿色发光二极管管芯的制作方法
428 金属有机物化学气相沉积氮化镓基薄膜外延生长设备
429 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
430 氮化镓基发光二极管N型层欧姆接触电极的制作方法
431 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
432 基于氮化镓的发光二极管及其制造方法
433 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法
434 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其制作方法
435 光学读出的氮化镓基单量子阱超声波传感器
436 一种检测氮化镓基材料局域光学厚度均匀性的方法
437 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
438 激光诱导下的氮化镓P型欧姆接触制备方法
439 激光诱导下的氮化镓P型有效掺杂制备方法
440 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
441 在基于氮化镓的盖帽区段上有栅接触区的氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管及其制造方法
442 用于氮化镓外延生长的衬底材料及制备方法
443 利用铟掺杂提高氮化镓基晶体管材料与器件性能的方法
444 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
445 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
446 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
447 一种照明用氮化镓基发光二极管器件
448 一种氮化镓基发光二极管P型层透明导电膜及其制作方法
449 氮化镓基发光二极管P、N型层欧姆接触电极及其制法
450 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
451 低极化效应的氮化镓基发光二极管用外延材料及制法
452 氮化镓基发光二极管及其制造方法
453 氮化镓系发光二极管及其制造方法
454 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
455 氮化镓基蓝光激光器的制作方法
456 氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法
457 氮化镓基化合物半导体发光器件
458 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
459 制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法
460 氮化镓基激光器倒装用热沉的制作方法
461 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法
462 氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法
463 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法
464 氮化镓薄膜外延生长结构及方法
465 适用于氮化镓器件N型欧姆接触的制作方法
466 氮化镓基化合物半导体发光器件
467 氮化镓衬底和氮化镓膜淀积方法
468 一种增强型氮化镓HEMT器件结构
469 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
470 HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO2</sub>纳米掩膜及方法
471 氮化镓半导体发光元件
472 一种用于LED的硅基氮化镓外延层转移方法
473 用于宽带应用的氮化镓材料晶体管及方法
474 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
475 氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法
476 氮化镓系化合物半导体发光元件
477 一种p型氮化镓的表面处理方法
478 氮化镓基LED大功率芯片的制备工艺
479 提高氮化镓基LED抗静电能力的方法及氮化镓基LED结构
480 氮化镓基半导体元件、使用其的光学装置及使用光学装置的图像显示装置
481 以CVD及HVPE成长氮化镓的方法
482 氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片
483 制作氮化镓系基板的方法
484 一种氮化镓外延层转移方法
485 一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统
486 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
487 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
488 具有超高反向击穿电压的氮化镓发光器件
489 基于氮化镓的生长半导体异质结构的方法
490 利用固态置换反应制备氮化镓晶体的方法
491 一种制备氮化镓基半导体激光器的P型电极的方法
492 制备用于生长氮化镓的衬底和制备氮化镓衬底的方法
493 一种锰掺杂氮化镓室温铁磁纳米材料及其制备方法
494 单晶氮化镓基板及单晶氮化镓长晶方法
495 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
496 一种制造AlGaN/AlInN复合势垒氮化镓场效应管的方法
497 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件以及使用该发光元件的灯
498 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法
499 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和灯
500 一种原位制备自支撑氮化镓衬底的方法
501 在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法
502 制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片
503 一种氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
504 生长大表面积氮化镓晶体
505 氮化镓基场效应管及其制备方法
506 运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法
507 垂直的氮化镓基发光二极管及其制造方法
508 氮化镓系化合物半导体发光元件的制造方法、氮化镓系化合物半导体发光元件和使用它的灯
509 一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法
510 采用自剥离用于生产氮化镓单晶衬底的方法
511 在外延横向过度生长氮化镓模板上生长氧化锌膜的方法
512 氮化镓系化合物半导体发光元件
513 硅衬底上横向外延生长氮化镓的方法
514 Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法
515 氮化镓外延片的快速检测方法
516 镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法
517 提高氮化镓高电子迁移率晶体管线性度的方法
518 一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法
519 氮化镓基发光二极管
520 一种基于衬底剥离的氮化镓基发光器件的制作方法
521 氮化镓晶圆
522 一种氮化镓基发光二极管外延衬底及其制备方法
523 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
524 一种氮化镓太阳能同位素复合型微电池及其制作方法
525 一种氮化镓基外延膜的激光剥离方法
526 一种半导体氮化镓外延薄膜衬底的制备方法
527 氮化镓半导体元件和发光二极管
528 氮化镓晶体以及其制备方法
529 氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法
530 氮化镓晶体和晶片
531 一种氮化镓基LED的量子阱结构及生长方法
532 生长氮化镓结晶组合物的方法
533 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
534 氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管
535 提高氮化镓高电子迁移率晶体管特征频率和线性度的方法
536 氮化镓基多波段探测器及其制作方法
537 一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法
538 结晶氮化镓以及相关的晶片和器件
539 表面粗化的氮化镓系发光元件及其制造方法
540 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
541 基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法
542 一种抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
543 已减薄或划片的氮化镓基场效应管的退火处理方法
544 氮化镓半导体衬底和蓝色发光器件
545 一种垂直结构氮化镓基发光二极管制作方法
546 一种氮化镓晶体抛光的方法
547 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法
548 氮化镓基外延晶片及外延晶片的制作方法
549 用于氮化镓的外延生长的基片
550 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
551 侧壁具有分布布拉格反射镜的氮化镓基发光二极管及其制备方法
552 侧面具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
553 利用激光划片解理氮化镓基激光器管芯的方法
554 一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法
555 改良正向传导的氮化镓半导体器件
556 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器
557 一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法
558 高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
559 抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法
560 生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓衬底的方法
561 氮化镓基化合物半导体发光器件
562 一种氮化镓基发光二极管外延层表面粗化的方法
563 氮化镓生长方法
564 一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法
565 一种制作氮化镓基垂直结构LED金属衬底的方法
566 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
567 一种新型结构的大功率氮化镓基LED
568 氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构
569 一种场板结构的氮化镓基肖特基二极管
570 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
571 一种提高氮化镓薄膜质量的外延方法
572 氮化镓基材料激光剥离后氮面的处理方法
573 氮化镓基紫外-红外双色探测器及制作方法
574 氮化镓晶体衬底
575 引入式粗化氮极性面氮化镓基发光二极管及其制作方法
576 具有分布布拉格反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作工艺
577 用于氢化物或氯化物气相外延制备氮化镓的尾气过滤器
578 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
579 一种制造氮面极性AlN/AlInN复合背势垒氮化镓场效应管的方法
580 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法
581 碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
582 氮化镓类半导体光元件及其制造方法、外延晶片
583 一种氮化镓基LED外延用蓝宝石图形化衬底制备方法
584 氮化镓系发光二极管，客服QQ:113 426 8~395
585 氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管及其制备方法
586 氮化镓异质结肖特基二极管
587 具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法
588 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
589 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
590 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法
591 氮化镓系发光二极管的制造方法
592 氮化镓二极管装置的缓冲层结构
593 氮化镓发光二极管结构
594 氮化镓系发光二极管及其制造方法
595 高亮度氮化镓基发光二极管及其制备方法
596 具有双反射层的氮化镓基倒装发光二极管及其制备方法
597 SOI上的氮化镓半导体器件及其制造工艺
598 p型氮化镓基半导体的制作方法、氮化物基半导体器件的制作方法及外延晶片的制作方法
599 提高氮化镓基场效应晶体管肖特基势垒的方法
600 采用Inx</sub>Ga1-x</sub>N缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法
601 一种氮化镓系发光二极管
602 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺
603 氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法
604 氮化镓基高亮度发光二极管芯片的制作工艺
605 覆晶式氮化镓发光二极管的制造方法
606 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法
607 一种薄膜氮化镓基发光二极管的制作方法
608 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
609 提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法
610 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
611 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
612 高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法
613 氮化镓类半导体激光二极管
614 一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法
615 具有复合碳基衬底的氮化镓基半导体器件及其制造方法
616 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
617 氮化镓或氮化铝镓层的制造方法
618 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法
619 一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法
620 具有低温p型GaN层的氮化镓系发光二极管
621 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
622 氮化镓衬底
623 具有氮化镓基薄层半导体器件的LED元件
624 具散热贯穿孔的氮化镓系发光二极管结构
625 氮化镓系化合物半导体的制造方法
626 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
627 一种新型氮化镓LED芯片电极结构的制作方法
628 高质量氮化镓系发光二极管
629 一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法
630 常态关闭的氮化镓场效应管
631 带有改良型终止结构的氮化镓半导体器件
632 氮化镓基激光器列阵管芯的器件结构及制作方法
633 氮化镓单晶的制备方法
634 一种基于氮化镓材料的双异质结声电荷输运延迟线
635 一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线
636 大规模氨热制备氮化镓晶棒的方法
637 一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统
638 垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制备方法
639 一种高锌含量的氮化镓/氧化锌固溶体及其制备方法
640 氮化镓/硅纳米孔柱阵列异质结构黄绿光、近红外光发光二极管及其制备方法
641 一种检测氮化镓基场效应晶体管表面钝化效果的方法
642 生长氮化镓晶体的方法和制造氮化镓晶体的方法
643 一种氮化镓发光二极管的制作方法
644 一种垂直结构氮化镓发光二极管的外延片及其制造方法
645 一种垂直结构氮化镓发光二极管芯片及其制造方法
646 低缺陷密度的独立式氮化镓基底的制造以及由其制造的器件
647 图形化氮化镓基发光外延片、发光芯片及其制作方法
648 外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片
649 氮化镓系化合物半导体的制造方法和半导体发光元件
650 利用去合金法制备多孔氮化铝或多孔氮化镓微粒的方法
651 具有点状分布N电极的氮化镓基发光二极管及其制备方法
652 具有改进栅极特性的增强型氮化镓晶体管
653 一种制备锰掺杂氮化镓纳米材料的方法
654 用于控制氮化镓生长成核位置的图形衬底及其制备方法
655 氮化镓基紫外光发光二极管及其制造方法
656 具有氮化镓层的多层结构基板及其制法
657 陶瓷衬底的氮化镓基芯片及制造方法
658 一种氮化镓基LED外延层的生长方法
659 一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法
660 氮化镓系化合物半导体发光元件
661 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法
662 氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺
663 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法
664 制备倒梯形氮化镓基发光二极管的方法
665 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法
666 具有多层势垒结构的氮化镓基发光二极管
667 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法
668 一种氮化镓基激光器管芯的制备方法
669 一种氮化镓基激光器外延结构及其制作方法
670 用于基于氮化镓或其它氮化物的半导体装置的背侧应力补偿
671 用于半导体衬底上的大面积的基于氮化镓或其它氮化物的结构的应力补偿
672 氮化镓晶体管的制作方法
673 高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法
674 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、III族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底
675 氮化镓基LED芯片立式封装的方法
676 氮面氮化镓绒面太阳能电池及其制作方法
677 用于基于氮化镓或其它氮化物的功率装置的含有锗的低欧姆触点
678 氮化镓系化合物半导体发光元件
679 复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法
680 一种氮化镓基多结换能单元同位素电池
681 氮化镓基板的制作方法
682 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
683 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法
684 氮化镓功率晶体管三电平驱动方法
685 氮化镓(GaN)自立基板的制造方法和制造装置
686 用于固态照明装置的氮化镓晶片衬底以及相关联系统及方法
687 一种两步法制备氮化镓/硫化锌纳米异质结方法
688 掺杂稀土元素的氮化镓粉体材料的制备方法及装置
689 一种具有复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
690 垂直氮化镓基发光二极管及其制造方法
691 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法
692 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法
693 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法
694 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法
695 一种氮化镓基发光二极管
696 一种具有双反射层的氮化镓基发光二极管
697 一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法
698 一种制造复合背势垒氮化镓异质结场效应管的方法
699 一种高白光光效氮化镓LED管芯结构
700 氮化镓半导体器件及其制造方法
701 一种垂直氮化镓发光二极管及其制作方法
702 用于制造氮化镓晶片的方法
703 一种低应力的氮化镓外延层的制备方法
704 氮化镓基材料及器件的制备系统和制备方法
705 一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法
706 一种提高蓝宝石衬底氮化镓外延层均匀性的方法
707 氮化镓基发光二极管
708 一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
709 具有电流扩展结构的氮化镓基发光二极管
710 氮化镓结晶、13族氮化物结晶、结晶基板、以及它们的制造方法
711 采用孤岛拓扑结构的高密度氮化镓器件
712 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
713 一种低成本低污染的氮化镓纳米线的制备生成方法
714 氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构
715 一种氮化镓基半导体材料外延复合衬底的制备方法
716 一种通过机械去除法制备氮化镓单晶衬底的方法
717 一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
718 一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
719 蓝宝石衬底可自剥离的氮化镓薄膜制备用外延结构及方法
720 基于超级结的氮化镓HEMT器件及制备方法
721 于氮化镓上制作氧化锌的方法与其应用
722 一种半导体器件用氮化镓外延的制备方法
723 电极结构、氮化镓基半导体器件及其制造方法
724 氮化镓基发光二极管及其制作方法
725 用于氮化镓肖特基二极管的端接结构
726 垂直氮化镓肖特基二极管
727 一种具有六棱锥形p型氮化镓的发光二极管制备方法
728 一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法
729 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
730 氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
731 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
732 用ALD设备生长氮化镓薄膜的方法
733 一种氮化镓基LED外延片及其生产方法
734 基于氮化镓生长半导体异质结构的方法
735 氮化镓射频功率器件及其制备方法
736 用于制作氮化镓基发光器件的非平面键合方法
737 氮化镓基板以及使用了该氮化镓基板的光设备
738 氮化镓系半导体装置及半导体装置的制造方法
739 氮化镓基半导体激光器元件和制造氮化镓基半导体激光器元件的方法
740 氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板
741 氮化镓超结器件
742 一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层
743 一种氮化镓基发光二极管及其外延生长方法
744 氮化镓单晶非极性面衬底生长氮化镓发光二极管的方法
745 一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法
746 一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
747 一种氮化镓纳米线及其制备方法
748 一种从含氮化镓废弃物中回收镓的方法
749 一种微型氮化镓集成器件
750 一种氮化镓功率场效应晶体管
751 一种提高氮化镓基电流扩展的外延结构及其生长方法
752 一种氮化镓基发光二极管芯片
753 一种高光效氮化镓基发光二极管芯片
754 基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
755 制造氮化镓基半导体发光器件的方法
756 氮化镓层的制造方法及该方法中使用的晶种基板
757 采用预失真和GAN（氮化镓）功率放大器装置用于具有提高的线性和功率输出的射频发射器的系统和方法
758 非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法
759 具多个导电介入层的N型氮化镓层
760 防止MOCVD生产氮化镓的氨气回收膜组件堵塞的装置及方法
761 一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
762 氮化镓基宽光谱发光二极管及其制备方法
763 一种氮化镓基隔离DC-DC电源模块
764 一种具有纵向复合缓冲层的氮化镓基高电子迁移率晶体管
765 氮化镓系发光二极管及制备方法
766 一种栅单场板的氮化镓高电子迁移率晶体管
767 一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
768 一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法
769 一种具有应力调制层的氮化镓基LED薄膜芯片及其制备方法
770 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
771 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
772 一种氮化镓发光二极管结构及其制备方法
773 一种氮化镓系发光器件
774 氮化镓类化合物半导体发光元件及包括该氮化镓类化合物半导体发光元件的光源装置
775 一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法
776 一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法
777 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法
778 一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法
779 氮化镓激光器腔面的制作方法
780 一种提高氮化镓基发光二极管发光效率的沟道层技术生长方法
781 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
782 一种氮化镓基LED外延片的生长方法
783 利用石墨烯或氧化石墨烯生长高质量氮化镓晶体的方法
784 利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法
785 氮化镓衬底上生长栅介质的方法及电学性能测试方法
786 基于氮化镓材料的人体血糖测试芯片
787 一种无氨化制备氮化镓纳米线的方法
788 一种非晶态氮化镓或氮化铟薄膜晶体管及其制备方法
789 一种生长氮化镓系薄膜的复合衬底及其制备方法和应用
790 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底
791 氮化镓LED制备方法、氮化镓LED和芯片
792 一种氮化镓基发光二极管的制备方法
793 一种有效改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法
794 氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶
795 用于氮化镓材料的研磨组合物及其制备方法
796 一种氮化镓LED蓝宝石衬底柔性电子应用的激光剥离方法
797 一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
798 一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法
799 在硅或类似的基材上制造氮化镓的厚的外延层的方法以及使用所述方法获得的层
800 用于氮化镓材料制备工艺的辐射式加热器
801 基于氮化镓铝的多波段紫外辐照度测量装置
802 一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置
803 氮化镓系发光二极体结构
804 氮化镓基大功率芯片侧面出光结构
805 氮化镓基大功率芯片散热结构
806 一种氮化镓高电子迁移率晶体管
807 一种新型氮化镓基发光二极管
808 具有凸起结构的氮化镓基高亮度发光二极管
809 一种外延层具有连续孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管
810 一种高频高线性氮化镓高电子迁移率晶体管
811 硅基单结氮化镓铟太阳能电池
812 具有低温中间层的氮化镓系发光二极管
813 一种氮化镓系发光二极管
814 侧面具有锯齿状孔洞的氮化镓基高亮度发光二极管
815 具有高反射镜的氮化镓基倒装发光二极管
816 一种基于氮化镓材料的单异质结声电荷输运延迟线
817 一种氮化镓高电子迁移率晶体管
818 一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线
819 自支撑氮化镓单异质结声电荷输运延迟线
820 一种氮化镓基器件中继器
821 增强电极附着力的氮化镓基发光二极管
822 氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构
823 适用于氮化镓有机金属气相沉积设备内的尾气处理装置
824 一种氮化镓图形衬底
825 一种提高氮化镓蓝光亮度的依附层
826 一种提高氮化镓绿光亮度的依附层
827 一种氮化镓基发光二极管外延片MQS发光层
828 氮化镓基发光二极管
829 一种氮化镓基发光二极管芯片
830 一种高光效氮化镓基发光二极管芯片
831 防止MOCVD生产氮化镓的氨气回收膜组件堵塞的装置
832 基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
833 一种LED氮化镓生产炉废氨气回收为饱和氨水的装置
834 LED氮化镓生产炉废氨气回收装置
835 一种氮化镓基隔离DC-DC电源模块
836 一种氮化镓基发光二极管