半导体绝缘膜制备技术 绝缘膜半导体制造工艺【小套】
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1 绝缘膜形成材料
2 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
3 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件
4 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
5 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
6 绝缘膜用材料,绝缘膜用罩光清漆
7 耐热性树脂的预聚体
8 半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
9 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘......
10 形成半导体器件的层间绝缘膜的方法
11 包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法
12 场绝缘膜上表面平坦的半导体器件及其方法
13 一种层间绝缘膜受到保护的半导体器件和制作方法
14 具有金属-绝缘膜-半导体三层结构的晶体管的制造方法
15 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
16 具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法
17 具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法
18 具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法
19 绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法
20 绝缘膜的制造方法和半导体装置的制造方法
21 绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
22 硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
23 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
24 硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜
25 在绝缘膜上形成凹状图形的半导体装置及其制造方法
26 半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置
27 在基板上形成绝缘膜的方法、半导体装置的制造方法和基板处理装置
28 半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
29 形成半导体基体上的绝缘膜的方法
30 生产绝缘膜的涂料组合物、使用该涂料组合物制备绝缘膜的方法、由其得到的用于半导体器件的绝缘膜及含有该绝......
31 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
32 电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法
33 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
34 绝缘膜以及半导体器件的制造方法
35 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
36 具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法
37 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
38 绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
39 具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法
40 评价用于半导体装置的绝缘膜的特性的方法以及形成该绝缘膜的方法
41 形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法
42 栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
43 用于半导体器件的绝缘膜沉积方法
44 绝缘膜半导体装置及方法
45 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
46 具有张应力增加的绝缘膜的半导体器件及其制造方法
47 制造多孔绝缘膜的方法和包含所述多孔绝缘膜的半导体器件
48 具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法
49 多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制造方法、层间绝缘膜和半导体装置
50 印刷电路板、半导体封装、基底绝缘膜以及互连衬底的制造方法
51 含高介电常数绝缘膜的半导体设备和该设备的制造方法
52 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
53 沸石溶胶及其制法、多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制法、层间绝缘膜和半导体装置
54 有机绝缘膜、其制造方法、使用该有机绝缘膜的半导体器件及其制造方法
55 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
56 形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件
57 多孔膜形成用组合物
58 多孔膜形成用组合物、多孔膜制造法、多孔膜、层间绝缘膜及半导体装置
59 形成多孔膜的组合物
60 绝缘膜、半导体器件及其制造方法
61 形成绝缘膜的方法和制造半导体器件的方法
62 绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法
63 绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法
64 贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法
65 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
66 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
67 用于形成半导体器件中的层间绝缘膜的方法
68 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
69 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
70 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
71 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
72 双(氨基苯酚)衍生物及其制造方法以及聚酰胺树脂类、正型感光性树脂组合物、保护膜、层间绝缘膜、半导体装......
73 感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜及使用它们的半导体装置和显示装置
74 硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置
75 具有层间绝缘膜布线层叠构造部的半导体装置及其制造方法
76 使用绝缘膜保护半导体芯片的侧壁
77 有机绝缘材料、使用该有机绝缘材料的有机绝缘膜用清漆、有机绝缘膜及半导体装置
78 绝缘膜材料、多层布线基板及其制造方法和半导体装置及其制造方法
79 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜以及半导体装置
80 组合物及其制造方法、多孔质材料及其形成方法、层间绝缘膜、半导体材料、半导体器件以及低折射率表面保护膜
81 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜和绝缘膜以及使用它们的半导体装置和显示装置
82 制造硅烷化多孔绝缘膜的方法、制造半导体装置的方法和硅烷化材料
83 正型感光性树脂组合物,固化膜,保护膜,绝缘膜以及使用它们的半导体装置,显示器装置
84 正型感光性树脂组合物、固化膜、保护膜、绝缘膜及使用它们的半导体装置、显示器装置
85 成膜方法、半导体元件的制造方法、绝缘膜以及半导体元件**电话咨询:133100 1 8+778
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2、资料说明:资料都是国家专利文献原版全文内容,含技术背景/原理、材料配方比例、制作方法、工艺步骤、技术关键、结构设计图(部分设备类有),以及发明人姓名、地址/邮编、申请日期、专利号、权利要求等详细信息。每一项专利文献的内容详略都是不同的,平均每一项4-10页,多的有几十页的。