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1 氮化硅膜的制造方法
2 一种含硅纳米粒子的氮化硅薄膜制备方法
3 金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
4 用电子回旋共振微波等离子体制备超薄氮化硅薄膜
5 除去氮化硅膜的方法
6 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
7 氮化硅膜制作方法及氮化硅膜制作装置
8 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
9 提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法
10 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
11 用化学蒸气沉积技术沉积氮化硅膜和氧氮化硅膜的方法
12 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
13 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
14 氮化硅膜的沉积制造方法及沉积系统
15 低温光化学气相淀积二氧化硅、氮化硅薄膜技术
16 一种低温化学气相沉积制备氮化硅薄膜的方法
17 使用原子层沉积法的氮化硅膜的形成方法
18 一种氮化硅膜的生长方法
19 氮化硅膜形成方法及装置
20 应力被调节的单层氮化硅膜及其沉积方法
21 用于制备受控应力的氮化硅膜的方法
22 具有控制应力的氮化硅膜
23 用于制造晶体管的低热预算氮化硅膜及其制备方法
24 制备氮化硅膜的方法
25 解决湿法剥离氮化硅薄膜新的清洗溶液
26 蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
27 由热化学气相沉积制造氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的方法
28 氮化硅薄膜及其制造方法
29 借由控制膜层生成前驱物来控制所沉积氮化硅膜的性质及均一性的方法
30 在真空中涂覆氮化硅薄膜的方法
31 电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
32 去除硅片背面氮化硅膜的方法
33 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
34 通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法
35 活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
36 一种碳氮化硅薄膜的制备方法
37 平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
38 用来改变氧化硅和氮化硅膜的介电性能的有机硅烷化合物
39 掺杂氮化硅薄膜的低温沉积方法及装置
40 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
41 氮化硅膜的干刻蚀方法
42 氮化硅/氧化硅双层增透保护薄膜的制备方法
43 去除缺陷膜层及形成氧化硅-氮化硅-氧化硅侧墙的方法
44 氮化硅薄膜及接触刻蚀停止层的形成方法
45 用于溅镀张力氮化硅膜的系统和方法
46 根据氮化硅薄膜应力校准薄膜沉积机台中机械手位置的方法
47 氮化硅膜湿法腐蚀工艺方法
48 一种采用氮化硅(Si3N4)和掺磷氧化硅(PSG)复合薄膜隔离技术的IGBT功率器件及其制造工艺
49 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法和半导体装置的制造方法
50 等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置
51 通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法
52 一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法
53 提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
54 形成氮化硅层于栅极氧化物膜上的制备方法
55 氮化硅薄膜及MIM电容的形成方法
56 低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法
57 去除氮化硅薄膜的干法蚀刻方法
58 等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法
59 形成高质量的低温氮化硅膜的方法和设备
60 氮化硅膜的形成方法、非易失性半导体存储装置的制造方法、非易失性半导体存储装置和等离子体处理装置
61 氮化硅膜和非易失性半导体存储器件
62 氮化硅薄膜溅射源装置
63 一种用于腐蚀氮化硅掩膜的浆料的清洗方法
64 新型TEM样品支持膜(氮化硅窗口)的制作工艺
65 一种低温高速沉积氢化非晶氮化硅薄膜的方法
66 晶体硅太阳能电池各色氮化硅膜制备方法
67 一种X射线显微透镜成像用氮化硅薄膜窗口的制作方法
68 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
69 全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
70 低湿蚀刻速率的氮化硅膜，客服QQ:1134~2·683·95
71 一种氮化硅薄膜的生成装置及方法
72 提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法
73 同时形成晶体硅太阳能电池PN结和氮化硅减反射膜的方法
74 一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法
75 一种选择性发射极及氮化硅薄膜开槽同步实现工艺
76 形成氮化硅基薄膜或碳化硅基薄膜的方法
77 镀氮化硅减反射膜的方法
78 一种双层氮化硅减反膜的制作方法
79 从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
80 双层氮化硅减反射膜制备方法
81 一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
82 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法
83 用于测量太阳能电池片氮化硅膜致密性的溶液及其使用方法
84 非现场情况下处理氮化硅膜以保证其高张应力的方法
85 一种在半导体器件中提高氮化硅薄膜拉应力的方法
86 一种制造高拉应力氮化硅薄膜的方法
87 一种增强氮化硅薄膜张应力的方法
88 改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构
89 增加PECVD氮化硅膜层的压缩应力的方法
90 一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法
91 建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法
92 一种晶体硅太阳电池的渐变减反射氮化硅薄膜的制备工艺
93 在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法
94 氮化硅膜的成膜方法和半导体存储装置的制造方法
95 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置
96 一种自组装制备内嵌金属钨量子点氮化硅介质膜浮栅层的方法
97 用等离子激发形成氮化硅膜的方法
98 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
99 氮化硅膜的形成方法
100 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
101 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
102 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
103 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
104 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
105 一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法
106 氮化硅膜制备装置
107 沉积氮化硅膜的方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
108 一种多层氮化硅减反膜太阳能电池制作方法
109 氮化硅膜沉积设备和沉积方法，客服QQ:1134·26~8395
110 氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
111 具有硅片表面清洗功能的氮化硅镀膜方法
112 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法
113 硅片表面的氮化硅膜的清洗液及清除方法
114 氮化硅的膜制备方法、具有氮化硅膜的太阳能电池片及其制备方法
115 一种改良的晶硅太阳能电池氮化硅减反膜制备方法
116 一种应用于透明材质的分层氮化硅SiNxOy成膜方法
117 一种用于太阳能电池的双层氮化硅减反射膜及其制备方法
118 双层氮化硅减反射膜及其制备方法
119 非晶质氮化硅膜及其制造方法
120 一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置
121 用于沉积碳化硅和碳氮化硅膜的设备和方法
122 一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法
123 氮化硅薄膜的制备方法
124 应用真空环境检测光阻与氮化硅薄膜契合度的方法
125 一种氮化硅铝介质层低辐射薄膜及其制备工艺
126 氮化硅膜的成膜方法、有机电子器件的制造方法和氮化硅膜的成膜装置
127 提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法
128 提高源漏接触和氮化硅薄膜黏附力的方法
129 一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺
130 氮化硅薄膜的制造方法
131 一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法
132 一种使用OTB设备沉积氮化硅梯度渐变膜的方法
133 组合式压缩机氮化硅膜层活塞环
134 一种非对称氮化硅陶瓷中空纤维管膜的制备方法
135 双层氮化硅减反射膜及其制备方法
136 基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法
137 一种低应力氮化硅薄膜的形成方法
138 一种基于氮化硅的纳米金膜电极方法
139 氮化硅薄膜的制备方法
140 氮化硅复合隔膜及其制备方法
141 具有悬浮结构的氮化硅膜致应变的锗LED器件及其制备方法
142 一种氮化硅薄膜的高温退火方法
143 一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法
144 一种氮化硅膜材料及其制备方法
145 用于半导体器件应用的氮化硅膜
146 一种氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法
147 一种多层氮化硅膜的制备方法
148 改进的镀氮化硅减反射膜方法
149 一种晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜及其制备方法
150 氮化硅膜制备装置
151 氮化硅膜和太阳能电池片的制作方法及太阳能电池片
152 一种具有光学边缘的氮化硅隔膜的制备方法
153 平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统
154 用于太阳电池片氮化硅膜致密性测量的载片
155 多晶硅太阳能电池铸锭用石英坩埚的氮化硅膜烘烤装置
156 一种全自动大型平板PECVD氮化硅覆膜制备系统
157 一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
158 一种平板PECVD氮化硅覆膜系统
159 一种平板PECVD氮化硅覆膜的系统
160 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜
161 氮化硅膜成长炉管装置中减少氯化铵堵塞的结构
162 太阳能电池的双层氮化硅减反膜结构
163 双层氮化硅减反膜
164 氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池
165 氮化硅膜制备装置
166 氮化硅膜沉积设备
167 组合式压缩机氮化硅膜层活塞环
168 氮化硅薄膜窗口
169 一种氮化硅膜制备装置
170 用于太阳能电池片的氮化硅膜制备装置
171 硅片表面氮化硅膜制备装置
172 氮化硅膜制备装置