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金属掺杂半导体加工方法 掺杂半导体器件生产技术资料
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   1 00817914.X 与半导体进行自掺杂接触的方法和装置  欢迎咨询:13310 0187 78
   2 01805083.2 掺杂半导体层的方法,制造薄膜半导体器件的方法及薄膜半导体器件
   3 96112038.X 化合物半导体及其可控掺杂
   4 96112497.0 化合物半导体的N型掺杂方法和用此法生产的电子及光器件
   5 88108194.9 掺杂半导体电热膜
   6 90102351.5 一种半导体的掺杂技术
   7 93117079.6 化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层
   8 93115356.5 具有异型掺杂岛的半导体器件耐压层
   9 98106080.3 具有掺杂多晶硅层构成的互连的半导体器件的制造方法
   10 98119766.3 使用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充
   11 98119321.8 采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法
   12 99123482.0 稀土掺杂的半导体薄膜
   13 99123481.2 化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层
   14 98808326.4 用于通过植入法掺杂的SiC半导体区的热自愈方法和SiC基半导体元件
   15 98809723.0 通过注入掺杂制成的碳化硅半导体的热修复法
   16 98809638.2 用多步淀积/退火工艺改进的利用掺杂硅酸盐玻璃的半导体结构的间隙填充
   17 99107679.6 无损测量半导体器件的漂移区的掺杂浓度和分布的方法
   18 00804875.4 用于生产半导体p,p+ 和n,n+区的掺杂糊剂
   19 200710120481.X 一种测量半导体掺杂浓度的方法
   20 200710160237.6 p型掺杂ZnO基稀磁半导体材料及制备方法  欢迎咨询:13310 0187 78
   21 200710152826.X 用于制造p<sup>-</sup>掺杂及外延涂覆的硅半导体晶片的方法
   22 200710168900.7 一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法
   23 200680016426.X 包括超晶格和相邻的具有限定半导体结的掺杂区的半导体层的半导体器件
   24 200610135391.3 稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法
   25 200710168978.9 一种Mn掺杂SnO2</sub>室温稀磁半导体纳米粉的制备方法
   26 200810046782.7 一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法
   27 200810059939.X N2</sub>O掺杂p型Zn1-x</sub>Cox</sub>O稀......
   28 200810005703.8 包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法
   29 200680031074.5 粒子半导体材料的掺杂
   30 200810017335.9 半导体掺杂分布的精确测量方法
   31 200710178492.3 掺杂层中按设定图形嵌入金属层的半导体电致发光器件
   32 200680009580.4 制备具有掩埋掺杂区的半导体器件的方法
   33 85108047 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法
   34 85108824 改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法
   35 87100729 制造光电器件和其它半导体器件用的氢化非晶硅合金的沉积物原料和掺杂剂材料
   36 87100971 半导体的光致核嬗变掺杂
   37 200410056519.8 掺杂的有机半导体材料以及它们的制造方法
   38 02825898.3 超掺杂半导体材料的方法以及超掺杂的半导体材料和器件
   39 02826543.2 一种用于形成如图 5所示具有衬底(2)、带有至少一个沟槽(52)的电压维持外延层(1)、以及邻接并环......
   40 02828606.5 于沟道区域中具有退化掺杂分布的半导体组件及用于制造该半导体组件的方法
   41 02828545.X 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
   42 200410007701.4 用醌二亚胺掺杂有机半导体的方法
   43 200410102337.X 用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法
   44 200510006833.X 制造重掺杂半导体晶圆的工艺,及无位错、重掺杂半导体晶圆
   45 200510008156.5 掺杂方法,制造半导体器件和施加电子仪器的方法
   46 200510007598.8 用于氮化物基半导体装置的低掺杂层
   47 200510069615.0 具有轻掺杂漏极的金属氧化物半导体的制作方法
   48 200410035033.6 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
   49 03824632.5 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
   50 200510043640.1 非晶态高掺杂Cox</sub>Ti1-x</sub>O2</sub>铁......
   51 03800995.1 掺杂的有机半导体材料以及其制备方法
   52 02821189.8 德尔塔掺杂的碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
   53 200410090382.8 半导体掺杂制程
   54 200410009856.1 应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
   55 200510098325.9 自动掺杂使N井及N+埋藏层隔离的半导体元件
   56 200480015240.3 离子掺杂装置、离子掺杂方法以及半导体装置
   57 200480015110.X 具有集成的掺杂沟道的参数确定的半导体复合结构、用于其生产和应用的方法
   58 200480021844.9 减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件
   59 200610018253.7 制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法
   60 200610072505.4 室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2</sub>薄膜的制备方法
   61 200480027320.0 ****欢迎咨询:13310 0187 78  采用调制掺杂量子阱结构的阵列式半导体激光器
   62 200510017029.1 一种铁掺杂硫化镉稀磁半导体外延薄膜的制备方法
   63 200480038302.2 利用固相外延再生长的具有降低的掺杂轮廓深度的半导体衬底及其制作方法
   64 200510091416.X 由硅制造掺杂半导体晶片的方法以及该半导体晶片
   65 200580003728.9 金属络合物作为 n -掺杂物用于有机半导体基质材料中的用途 ,有机半导体材料和电子元件以及掺杂物和配......
   66 200580005104.0 用于半导体制造的栅极掺杂物激活方法
   67 200610146316.7 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
   68 200580013066.3 在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管
   69 200610165081.6 一种基于自由载流子吸收技术的半导体掺杂浓度测量方法
   70 200580016178.4 锰掺杂磁半导体
   71 200580008191.5 将稀土掺杂放大器集成到半导体结构中
   72 200580016180.1 铜掺杂磁半导体
   73 200580016104.0 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
   74 200710100610.9 包括杂质掺杂区的半导体器件及其形成方法
   75 200580036120.6 具有掺杂钛酸盐主体的金属-氧化物-半导体
   76 200580039980.5 使用衬底倾斜的半导体掺杂
   77 200710106813.9 等离子体掺杂方法及利用该方法制造半导体器件的方法
   78 200910265083.6 柱撑层载/掺杂半导体型多功能复合材料的制备及使用方法
79 200980131469.6 等离子体掺杂方法及半导体装置的制造方法
80 200980132768.1 具有基于掺杂半导体金属接触的偏压电极的用于减轻DC偏压漂移的光电调制器
81 200980142752.9 用于局部触点接通和局部掺杂半导体层的方法
82 201110127983.1 非磁性离子Zn<sup>2+</sup>、Mg<sup>2+</sup>、Al<sup>3+</su......
83 201110095822.9 一种具有光电导效应的钯掺杂碳膜/氧化物/半导体材料
84 200980144847.4 用于有机半导体的基于衍生化富勒烯的掺杂剂
85 201110145001.1 一种Cu掺杂TiO2</sub>耦合型半导体光催化剂及制备方法和应用
86 201110170424.9 具有两级掺杂曲线的功率半导体器件
87 201110252193.6 掺杂氧化锌半导体材料及其制备方法与应用
88 201010602082.9 半导体元件、在其中增加表面掺杂浓度的方法及形成方法
89 201110185320.5 Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法
90 201110185833.6 Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法
91 201110295036.3 硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及其应用
   92 201110297648.6 一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法
93 201080013840.1 组态及制造其中以不同掺杂物定义场效应晶体管的源极和漏极延伸区的半导体结构
94 201010290520.2 具有漏极轻掺杂结构的金属氧化物半导体元件的制造方法
95 201110363649.6 锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
96 201110363666.X 铬铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
97 201110365869.2 铬锰共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置
98 201110332997.7 具有可见光催化活性的碳掺杂半导体氧化物及其制备方法
99 201210105253.6 岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法
100 201210097698.4 源漏轻掺杂方法、半导体器件及其制造方法
101 201210135622.6 一维介孔晶的氧化锌基铜掺杂稀磁半导体及其制备方法
102 201210132777.4 一维介孔晶的氧化锌基镍掺杂稀磁半导体及其制备方法
103 201120284016.1 一种可精确控制掺杂区掺杂浓度的半导体器件  欢迎咨询:13310 0187 78
104 201120284012.3 一种可精确控制硼掺杂区的半导体器件
105 03148775.0 采用掺杂半导体层作为布线的半导体加速度传感器
106 03142347.7 通过氟化硼化合物掺杂而制造具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的方法
107 01820294.2 掺杂半导体层的方法、制造薄膜半导体器件的方法、及薄膜半导体器件
108 02149953.5 具轻掺杂汲极的半导体组件及其形成方法
109 200310118687.0 制备窄掺杂剖面高性能半导体器件的结构和方法
110 02815865.2 以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置
   111 200310117195.X 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体/绝缘体/半导体材料
112 200680023233.7 包含具有至少一组基本未掺杂层的超晶格的半导体器件
113 200710008661.9 一种金属掺杂的非半导体可见光光催化剂及其制备方法与用途
114 200810049642.5 一种掺杂半导体纳米晶及其制备方法
115 200810014729.9 磁性增强的H掺杂Mnx</sub>Ge1-x</sub>磁性半导体薄膜
116 200710099292.9 MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法
117 200810024894.2 一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
118 200810023936.0 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法
119 200810070011.1 不同掺杂浓度多分区高击穿电压浅结低温半导体结构及制造方法
120 200680052354.4 最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法
121 200810125855.1 吡啶并[3,2-h]喹唑啉和/或其5,6-二氢衍生物、其制备方法和包含它们的掺杂有机半导体材料
122 200680050740.X 掺杂的有机半导体材料
123 200780004647.X 用于制造具有不同掺杂浓度的区域的半导体元件的方法
124 200780009954.7 制备掺杂的有机半导体材料的方法以及在该方法中使用的配方物
   125 200780007117.0 包括p掺杂有机半导体的电子元件
   126 200780016230.5 具有掺杂的半导体异质结触点的太阳能电池
   127 200710178098.X 一种鉴别和测量半导体材料中掺杂元素的方法
   128 200810249725.9 采用硼掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法
   129 200810175217.0 包括具有导电覆层的掺杂半导体线的集成电路
   130 200810249726.3 采用氢掺杂在金刚石表面制备半导体导电膜的方法
   131 200680048938.4 半导体结构中应变和活化的掺杂剂的光-反射特性刻画方法
   132 200780021569.4 包括掺杂剂阻挡超晶格的半导体器件及相关方法
   133 200810156784.1 p型掺杂CuCrO2</sub>基稀磁半导体材料及其制备方法
   134 200680032757.2 具有含源-漏扩展反掺杂的P-MOS晶体管的半导体器件
   135 200810073890.3 稀土掺杂Sn-Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法
   136 200810105624.4 N型轻掺杂区域的形成方法及半导体器件的制造方法
   137 200810105923.8 栅极、半导体器件及栅极、掺杂区、含氮侧墙基层形成方法
   138 200910118264.6 用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物
   139 200910145695.1 应用高电压轻掺杂漏极的互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护
   140 200910088193.X 金属掺杂的低能隙纳米晶半导体光阳极薄膜的制备方法
   141 200910049021.1 一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法
   142 200780051563.1 现场外掺杂半导体传输层
   143 200780051559.5 ****欢迎咨询:13310 0187 78  掺杂纳米颗粒型半导体结
   144 200910052025.5 强磁场下制备Co掺杂SnO2</sub>稀磁半导体材料的方法
   145 200910085267.4 一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
   146 200810116568.4 半导体生产中掺杂剂的称量系统
   147 200910159862.8 掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件
   148 200880006925.X 基于硅/锗的纳米颗粒油墨、掺杂型颗粒、用于半导体应用的印刷和方法
   149 201010173616.0 一种螺环取代芘的蓝光半导体材料及其非掺杂电致蓝光器件
   150 200910083470.8 半导体制造工艺流程中掺杂栅极和漏、源极的方法
   151 201010214837.8 一种掺杂铜的氮化铝基稀磁半导体纳米棒的制备方法
   152 201010206782.6 掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造
   153 201010216861.5 一种基于半导体材料表面掺杂的液晶光学整流器件
   154 200910084127.5 半导体器件的栅极掺杂方法
   155 200910146086.8 一种将中子嬗变掺杂横向磁场直拉硅用于大功率半导体器件的新工艺
   156 200910311069.5 碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法和应用
   157 200910229130.1 铬掺杂氮化钛磁性半导体多晶薄膜的制备方法
   158 200910265540.1 一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法
   159 200810227175.0 轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件
   160 200810208066.4 轻掺杂离子注入方法和I/O金属氧化物半导体场效应管
   161 200910247541.3 一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法
   162 200880103120.7 金属配合物作为p-掺杂剂用于有机半导体基质材料、有机半导体材料和有机发光二极管的用途
   163 200910162398.8 用于半导体衬底掺杂剂活化的RTP尖峰退火
   164 200880101459.3 包括掺杂的半导体膜的光伏器件
   165 200910110996.0 一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法
   166 200980100070.1 包含镁掺杂半导体薄膜的光伏器件
   167 200910136498.3 具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件
   168 200910047633.7 半导体的掺杂方法
   169 200910238792.5 一种Al掺杂ZnO半导体纳米柱的制备方法
   170 200980102659.5 使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水
   171 200980106931.7 用于制备掺杂的有机半导体层的方法
   172 201010241076.5 掺杂方法和制造半导体器件的方法
   173 200910196427.2 半导体器件的栅极预掺杂方法
   174 200980115726.7 制造纯净或掺杂的半导体材料的非负载的制品的方法
   175 200980121738.0 含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法
   176 200910218040.2 一种具有室温铁磁性的Fe掺杂ZnO稀磁半导体纳米颗粒的制备
   177 201010592347.1 使用激光退火选择激活注入掺杂剂的半导体器件制作方法
   178 201110057072.6 制备Mn掺杂InP:Zn基稀磁半导体的方法
   179 201010258573.6 等离子体掺杂方法和使用所述方法制造半导体器件的方法
   180 201010532892.1 一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法
   181 201010555232.5 钨掺杂的纳米晶二氧化钛半导体薄膜及其制备方法和应用
   182 201110087016.7 利用化学气相沉积原位掺杂制备p型IIB-VIA族准一维半导体纳米材料的方法
   183 201110005329.3 一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器
   184 201110297036.7 一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法
   185 201110295470.1 可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件
   186 200980157574.7 使用非接触印刷法在半导体衬底中形成硼掺杂区域用的含硼墨和制造这种含硼墨的方法
   187 201110143396.1 激光脉冲沉积法制备Cu扩散掺杂ZnO基半导体的方法
   188 201080015365.1 半导体基底同时微结构化和掺杂的设备和方法
   189 201080017135.9 具有经掺杂的含硅盖层的金氧半导体器件及其制造方法 欢迎咨询:13310 0187 78
   190 201080029521.X 金属掺杂的半导体纳米晶体及其制造方法
   191 201080033122.0 半导体材料光致发光测量中掺杂浓度和少数载流子寿命分离
   192 201080041994.1 Li和Ni共掺杂的ZnO中的稳定P型半导体特征
   193 201110224158.3 一种精确控制半导体器件掺杂区掺杂浓度的方法
   194 201080041456.2 有机电子器件和用于掺杂有机半导体基质材料的掺杂剂
   195 201210081389.8 一种源漏重掺杂方法、半导体器件及其制造方法
   196 201080058687.4 具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法

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