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复合绝缘层半导体结构 半导体绝缘层生产工艺资料
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   2 03102064.X 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及制作方法
   3 96104047.5 形成半导体器件中金属间绝缘层的方法**电话:021-51021 6 6 8
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   5 00127000.1 腐蚀绝缘层和制作半导体器件的工艺
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9 02105694.3 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
10 200710170408.3 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法
11 200810004580.6 包括阻挡绝缘层的半导体器件以及相关方法
12 200710133888.6 微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构
13 200410056602.5 具含纳米微粒绝缘层之半导体组件装置
14 03151098.1 一种含镁锌氧的金属-绝缘层-半导体结构及制备工艺
15 200410085542.X 为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
16 02828545.X 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
17 02828976.5 半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法
18 200510005078.3 制造过氧化物交联绝缘层和/或半导体层电缆的方法和设备
19 200410103497.6 具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置及其制造方法
20 200510079479.3 使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法
21 200510115627.2 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
   22 200510137100.X 具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
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25 200580035899.X 应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法
26 201110055632.4 半导体器件和在半导体管芯周围形成绝缘层的方法
27 201110293807.5 形成保护结构用于绝缘层局部平坦化的方法和半导体器件
28 201080020211.1 铝基材、采用该铝基材的具有绝缘层的金属基板、半导体元件和太阳能电池
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31 201110376203.7 一种具有绝缘层隔离结构肖特基半导体装置及其制备方法
32 200720143102.4 具有复合绝缘层的半导体封装结构
33 200720143103.9 具有复合绝缘层的半导体封装结构**电话:021-51021 6 6 8
34 200420049975.5 应变半导体覆绝缘层型基底
35 200420084955.1 具多厚度绝缘层上半导体的结构
36 200420048384.6 绝缘层上有半导体的晶片
37 200420049908.3 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构
38 200420084372.9 具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构
39 200410001967.8 具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
40 03153954.8 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
   41 200410003877.2 具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法
42 03156864.5 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其制作方法
43 200410008061.9 具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法
44 01823577.8 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
45 200880019806.8 树脂组合物、填埋材料、绝缘层以及半导体装置
46 200880118780.2 包含绝缘层的氧化物半导体器件和使用该器件的显示装置
47 201010211448.X 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
48 201010211441.8 在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法
49 200910129470.7 绝缘层以及使用其的半导体器件的制造方法
50 201010292890.X 半导体设备以及在其基片上图案化树脂绝缘层的方法
51 201110127022.0 用于在半导体结构中形成绝缘层的方法及其由此产生的结构
52 201080039409.4 具有半导体本体、绝缘层和平面导电结构的光电子器件及其制造方法
53 201080039435.7 具有带有辐射出射侧和绝缘层的至少一个第一半导体本体的光电子模块及其制造方法
54 201210032812.5 绝缘层上的半导体结构及其制造方法
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