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抛光半导体方法加工工艺 半导体抛光剂配方技术
点击数:557 更新时间:2016/7/30
   资料编号 >> WLG21399(咨询时请提供资料编号)

   1 一种半导体抛光剂
   2 一种半导体晶片抛光剂
   3 抛光半导体晶圆的方法
   4 半导体基材的抛光垫
   5 半导体基片用的抛光剂
   6 抛光半导体晶片的方法
   7 抛光垫及抛光半导体晶片的方法
   8 半导体晶片抛光装置和抛光方法
   9 抛光垫以及抛光半导体晶片的方法
   10 用于抛光半导体封盖层的抛光液
   11 用于抛光半导体基材的软性抛光垫
   12 半导体晶片用抛光垫的加工方法以及半导体晶片用抛光垫
   13 未抛光半导体晶片和用于制造未抛光半导体晶片的方法
   14 抛光体、抛光装置、半导体器件以及半导体器件的制造方法
   15 抛光盘、抛光机及制造半导体器件的方法
   16 抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法
   17 抛光布,抛光装置和半导体设备的制备方法
   18 使用双面抛光装置的半导体晶片抛光方法
   19 一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液
   20 半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置
   21 抛光布,抛光装置和半导体设备的制备方法
   22 用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液
   23 修整同时双面抛光半导体晶片的抛光垫的方法
   24 一种半导体晶片化学抛光抗腐蚀剂
   25 模块化底板半导体抛光器结构
   26 抛光半导体晶片的方法和设备
   27 用于抛光半导体衬底的边缘的设备
   28 用双面抛光加工半导体晶片的方法
   29 半导体晶片,抛光装置和方法
   30 半导体晶片抛光浆料供应量的控制
   31 用于半导体底物的抛光垫
   32 用于抛光半导体层的组合物
   33 用于半导体晶片的抛光组合物
   34 用于制造抛光的半导体晶片的方法
   35 用于抛光半导体裸片的设备和方法
   36 用于半导体晶片抛光的方法
   37 一种半导体晶片的化学机械抛光方法
   38 用于抛光半导体晶片的方法
   39 局部抛光半导体晶片的方法
   40 抛光半导体晶片边缘的方法
   41 双面抛光半导体晶片的方法
   42 裸半导体晶片的单面抛光的方法
   43 制备抛光的半导体的方法
   44 半导体硅片化学机械抛光用清洗液
   45 半导体晶片精密化学机械抛光剂
   46 半导体锑化铟化学机械抛光液
   47 半导体器件制造方法和抛光装置
   48 用来抛光半导体层的组合物
   49 超硬半导体材料抛光方法
   50 半导体晶片双面抛光的方法
51 用于抛光半导体薄层的氧化铈浆料
52 一种半导体晶片机械抛光剂
53 一种SiC半导体材料的抛光方法
54 半导体区的生长中的化学机械抛光
55 一种半导体晶片的抛光倒角方法
56 一种半导体晶片绿色环保抛光剂
57 一种半导体晶片机械环保抛光剂
58 半导体材料的电解抛光方法及装置
59 一种半导体硅片化学机械抛光清洗液
60 抛光盘、抛光机、抛光方法及制造半导体器件的方法
61 抛光状态监视方法、抛光状态监视装置、抛光设备、加工晶片、半导体器件制造方法和半导体器件
62 抛光体、抛光设备、抛光设备调节方法、抛光膜厚度或抛光终点测量方法及半导体器件的制造方法
63 用于抛光半导体晶片的方法及用该方法制造的半导体晶片
   64 半导体芯片封装设备和抛光处理半导体芯片封装的方法
65 在抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法
66 用于半导体晶片的抛光垫、装备有该抛光垫用于抛光半导体晶片的层叠体以及用于抛光半导体晶片的方法
67 用于半导体集成电路装置的抛光剂、抛光方法以及半导体集成电路装置的制造方法
68 半导体集成电路装置用抛光剂、抛光方法、以及制造半导体集成电路装置的方法
69 用于借助同时双面抛光来抛光半导体晶片的方法
70 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液
71 用于化学机械抛光的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
72 在半导体晶片化学机械抛光时输送抛光液的系统
73 借研磨抛光系统制造存储盘或半导体器件和抛光垫
74 抛光液以及抛光Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶片的方法
75 用于半导体晶片的抛光药液组合物、抛光药液及制备方法
76 使用一个或多个抛光面抛光半导体晶圆的设备与方法
77 包括同时抛光衬底晶片的正面和反面的抛光半导体晶片的方法
78 一种用于化合物半导体的化学机械抛光剂
79 CMP用浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
80 CMP浆料、抛光方法和半导体器件的制造方法
81 对半导体基片进行电镀和抛光的方法及装置
82 半导体器件中不同种导电层的抛光工艺
   83 半导体抛光晶片平滑度的控制方法和设备
84 半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法
85 制造半导体元件的方法及其化学机械抛光系统
86 化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
87 电抛光半导体器件上金属互连的方法和装置
88 抛光铜膜后清洁处理半导体衬底的方法和设备
89 抛光垫及使用该垫制造半导体衬底的方法
90 用于高效清洁/抛光半导体晶片的组合物和方法
91 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
92 利用化学机械抛光工艺的半导体器件制造方法
93 制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法
94 对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
95 用于抛光由半导体材料构成的基材的方法
96 采用化学机械抛光的半导体晶片再利用
   97 基板抛光方法、半导体装置及其制造方法
   98 一种抛光及清洗晶圆的半导体设备及方法
   99 用于半导体晶圆的化学机械抛光机的装载装置
   100 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料保护侧边缘的表面抛光方法
   101 用来减少对半导体晶片侵蚀的抛光组合物
   102 具有抛光和接地底面部分的半导体芯片
   103 用于抛光铝半导体基材的组合物及方法
   104 一种半导体材料无有毒物质残留的机械抛光剂
   105 一种半导体硅片机械抛光清洗液及其制备方法
   106 一种用于半导体集成电路中金属钨的抛光液及其制备方法
   107 有机膜的化学机械抛光及制造半导体器件的方法
   108 研磨垫、其制法和金属模以及半导体晶片抛光方法
   109 使用平面化方法和电解抛光相结合的方法形成半导体结构
   110 用于CMP的浆料、抛光方法及半导体器件的制造方法
   111 用于在半导体表面进行淀积和抛光的方法和装置
   112 在电镀和/或电抛光期间装载和定位半导体工件的方法与设备
   113 用化学机械抛光的平整步骤制造半导体器件的方法
   114 半导体材料晶片的抛光方法
   115 一种半导体材料环保抛光剂
   116 用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法
   117 用于抛光半导体基材上的金属层的磨料组合物及其用途
   118 具有化学机械抛光伪图案的半导体器件及其制造方法
   119 化学机械抛光头、设备和方法以及平面化半导体晶片
   120 用于半导体材料的化学机械抛光的组合物及方法
   121 用于在半导体晶片抛光时测量晶片特性的装置和方法
   122 用新型精抛光方法加工半导体晶片的方法及其设备
   123 适用于半导体化学机械抛光的金属氧化物浆料的制备方法
   124 用于增强半导体化学-机械抛光过程中金属去除率的方法
   125 用于金属膜的CMP浆料、抛光方法以及制造半导体器件的方法
   126 化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法
   127 超平坦化学机械抛光技术之方法及使用该方法制造的半导体组件
   128 用于抛光半导体晶片的CMP浆料及使用该浆料的方法
   129 用于半导体晶片的化学机械抛光设备的装载装置
   130 化合物半导体衬底及其抛光方法、外延衬底及其制造方法
   131 一种去除半导体硅片表面缺陷的抛光组合物及其制备方法
   132 抛光垫、其生产方法及使用其生产半导体器件的方法
   133 一种半导体抛光抗腐蚀剂
   134 电抛光半导体器件上金属互连的装置
   135 抛光垫及制造半导体器件的方法
   136 经抛光的半导体晶片及其制造方法
   137 半导体片抛光设备及方法
   138 化合物半导体化学抛光腐蚀液
   139 半导体晶片的抛光方法和装置
   140 抛光半导体晶片两面的方法

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