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半导体元件钝化方法 半导体器件钝化加工技术
点击数:484 更新时间:2016/7/30
   资料编号 >> WLG21398(咨询时请提供资料编号)

   1 半导体装置钝化方法
   2 半导体表面钝化方法
   3 一种半导体钝化层处理方法
   4 用于半导体发光器件的钝化
   5 一种半导体激光器腔面钝化的方法
   6 平坦化半导体器件和钝化层的方法
   7 用于半导体器件封装的钝化层
   8 用于半导体器件的钝化层
   9 带钝化层的半导体基板及其制造方法
   10 一种半导体光电器件的表面钝化方法
   11 一种半导体芯片台面的钝化方法
   12 F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法
   13 钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
   14 形成半导体器件的钝化膜的方法以及这种钝化膜的结构
   15 ALD制备InP基半导体激光器中的表面钝化方法
   16 半导体器件表面钝化保护材料及其制备与应用
   17 一种用氯化硫钝化III-V族半导体表面的方法
   18 大台面电力半导体器件的玻璃钝化方法
   19 一种硅半导体台面器件的复合钝化工艺
20 一种ⅢA-ⅤA族化合物半导体表面硫钝化方法
21 能有效进行氢钝化的半导体器件的制造方法
22 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
23 具有在p-型层内钝化的半导体发光器件
24 半导体组件的钝化层结构及其形成方法
25 碳化硅、氮化镓半导体器件玻璃钝化技术
26 硅大直径圆晶片半导体器件玻璃钝化技术方法
27 高电压碳化硅半导体器件的环境坚固钝化结构
28 具有钝化区段的半导体元件及其制造方法
29 具有偏置钝化以减少电迁移的半导体结构
30 钝化层制造方法及高压半导体功率器件
31 具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法
32 衬底表面钝化方法和半导体结构形成方法
   33 一种半导体激光器腔面钝化方法及装置
34 在半导体处理过程中钝化导电表面的方法
35 具有高度致密钝化层半导体激光器的制备方法
36 具有钝化层的半导体元件以及制造方法
37 半导体材料表面钝化层结构的形成工艺方法
38 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法
39 一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法
40 半导体表面钝化无铅玻璃粉及其制备方法
41 用于形成半导体基板用钝化膜的材料、具有半导体基板用钝化膜的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件及太阳能电池元件的制造方法
42 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板、带钝化层的半导体基板的制造方法、太阳能电池元件、太阳能电池元件的制造方法及太阳能电池
43 具有表面钝化的背面的双面接触的半导体晶圆太阳能电池
44 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
45 全切面结玻璃钝化的硅半导体二极管芯片及其制造方法
46 一种半导体钝化封装用铅硅铝系玻璃粉及其制备方法
47 用于Ⅱ-Ⅵ族半导体光转换器件的欧姆接触的钝化包层
48 用于制备具有双面钝化的半导体发光器件的方法
49 具有用于隔离和钝化层的支撑结构的半导体器件
50 一种提高半导体发光二极管光提取效率的表面钝化方法
51 一种半导体激光器腔面钝化膜结构及其制备方法
   52 一种用于半导体台面钝化的复合保护涂料及其制备方法
53 形成包括平台结构和多层钝化层的半导体器件和相关器件的方法
54 包括铝-硅氮化物钝化的用于形成III-V半导体结构的方法
55 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法
56 具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件
57 一种具有界面钝化层的锑化镓基半导体器件及其制备方法
58 在半导体器件芯片玻璃钝化膜上划切的装置及其使用方法
59 一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺
60 一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法
61 半导体元件钝化方法
62 半导体层的氢钝化方法
63 复合型半导体硅器件钝化膜及钝化生成工艺
64 半导体激光器腔面钝化的方法
65 硅半导体器件玻璃钝化工艺
   66 半导体制造技术中的软钝化层
   67 半导体台面器件钝化工艺
   68 一种台面半导体器件钝化工艺及设备
   69 台面半导体器件玻璃钝化工艺
   70 硅平面半导体器件的玻璃钝化方法
   71 具有钝化膜的半导体器件
   72 具有钝化层的半导体发光器件
   73 对刻蚀后的半导体结构的钝化
   74 具有双面钝化的半导体发光器件
   75 一种半导体激光器腔面钝化方法
   76 半导体基片表面钝化层的形成方法
   77 具有钝化层的半导体器件
   78 用于太阳能电池和其他半导体装置的钝化的方法、设备和系统

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